デバイスタイプ MOSFET M-MOSFETSについてご説明します。

モデル設定

MOSFETはその特性を指定するのに、モデル一覧から選択が必要です。
”Parameter”一覧の"VDMOS"の次に"pchan"と記載があるとPNP型FETです。無記入の場合はNPN型FETです。

その他にも"パラメーター"に、チャンネル長、チャンネル幅を設定する事が出来ます。
入力する際に、チャンネル長、チャンネル幅の順で半角スぺース区切りです。
例　0.5 OFF

パラメーター	内容
Area	面積係数 ※省略時は"1" 例 1 0.5
OFF	部品特性解析時の初期条件 ※省略可能 例 OFF

選択したモデル内に記載されているモデルパラメーターは下記の意味になります。

名前	概要	単位	デフォルト値	例
Vto	しきい値	V	0	1.0
Kp	トランスコンダクタンス・パラメータ	A/V^2	1.	.5
Phi	表面反転電位	V	0.6	0.65
Lambda	チャンネル長調整	1/V	0.	0.02
mtriode	三極管領域での導電率乗数(三極管領域と飽和領域の個別の適合が可能になります。)		1.	2.
subthres	2乗から指数関数的なしきい値以下の導通に切り替わる(Vds1V当たりの)電流	A/V	0.	1n
BV	Vdsのブレークダウン電圧	V	Infin.	40
IBV	Vds=BVのときの電流	A	100pA	1u
NBV	Vdsブレークダウンの放射係数		1.	10
Rd	ドレインのオーミック抵抗		0.	1.
Rs	ソースのオーミック抵抗		0.	1.
Rg	ゲートのオーミック抵抗		0.	2.
Rds	ドレイン-ソース関分流抵抗		Infin.	10Meg
Rb	ボディ・ダイオードのオーミック抵抗		0.	.5
Cjo	ゼロバイアスでのボディ・ダイオード接続容量	F	0.	1n
Cgs	ゲート-ソース間容量	F	0.	500p
Cgdmin	非線形G-D間容量の最小値	F	0.	300p
Cgmax	非線形G-D間容量の最大値	F	0.	1000p
A	非線形のCgd容量パラメータ		1.	.5
Is	ボディ・ダイオードの飽和電流	A	1E-14	1E-15
N	バルク・ダイオードの放射係数		1.
Vj	ボディ・ダイオードの接合電位	V	1.	0.87
M	ボディ・ダイオードの濃度勾配係数		0.5	0.5
Fc	順バイアス時の空之層容量式のボディ・ダイオード係数		0.5
oneway	電流がチャンネルの一方向にのみ流れることができることを示す挙動モデリング・フラグ
tt	ボディ・ダイオードの遷移時間	sec	0.	10n
Eg	Isに対する温度の影響に対応するボディ・ダイオード活性化エネルギー	eV	1.11
Xti	ボディ・ダイオードの飽和電流温度指数		3.
L	長さのスケーリング		1.
W	幅のスケーリング		1.
Kf	フリッカ・ノイズ係数		0.
Af	フリッカ・ノイズ指数		1.
nchan	Nチャンネル VDMOS		(true)
pchan	Pチャンネル VDMOS		(false)
Tnom	パラメータ測定温度	℃	27
Lmin	ピン長さの下限	m	0.	10u
Lmax	ピン長さの上限	m	0.	20u
Wmin	ピン幅の下限	m	0.	1
Wmax	ピン幅の上限	m	0.	10

Spiceピンオーダー設定

Spiceピンオーダーは、ドレインピンに"D"、ゲートピンに"G"、ソースピンに"S"と、設定してください。
もし回路図によってバルクピンが必要な場合は、バルクピンに"B"と設定してください。必要ない場合は省略する事が可能です。

ピンオーダー一覧

Spiceピンオーダー	シンボルピン番号
D	ドレインのピンを設定
G	ゲートのピンを設定
S	ソースのピンを設定
B	バルクのピンを設定

※設定を間違えると、回路図と異なる接続でシミュレーションされるので注意してください。